技術のテーマ-マジコンプログラミングボックス_自動記録機-深セン市昂科技術有限公司

UFSソリューション：高性能ストレージソリューション

ICバーナーの専門メーカーであるShenzhenAngke Technology Co.、Ltd。（ストックコード：873207）は、Universal Flash Storage（UFS）専用のエンジニアリングバーナーと大量生産バーナー、および自動プログラミング装置を発売しました。新しく発売された新世代のバーナーは、UFSシステムの設計とアプリケーションを統合しており、R＆D、製品検証、および工場の小ロットおよび大量生産の要件に適しています。低電力消費と高性能UFSを備えた信頼性の高いストレージは、最小の電力消費を必要とするスマートフォンやタブレットなどのコンピューティングおよびモバイルシステム向けに設計された高度で高性能なインターフェイスです。 eUFS .. ..

2020-11-21

UFS 3.0の読み取りおよび書き込みテストデータの公開：スパイクUFS2.1およびeMMC

ICバーナーの専門メーカーであるShenzhenAngke Technology Co.、Ltd。は、ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）専用のエンジニアリングバーナーと大量生産バーナー、および自動燃焼装置を発売しました。新しく発売された新世代のバーナーは、UFSシステムの設計とアプリケーションを統合しており、R＆D、製品検証、および工場の小ロットおよび大量生産の要件に適しています。 2018年1月、UFS3.0が正式にリリースされました。 UFS 2.0および2.1の反復アップグレード製品として、UFS3.0はパフォーマンスの非常に重要な改善と進歩をもたらしました。だが、...

2020-11-21

NorFlash、NandFlash、eMMCフラッシュメモリの比較と違い

フラッシュメモリ（英語：フラッシュメモリ）は、電子的に消去可能なプログラム可能な読み取り専用メモリの形式であり、操作中にメモリを複数回消去または書き込みできます。このテクノロジーは、主に一般的なデータストレージ、およびコンピューターとメモリカードやUディスクなどの他のデジタル製品との間のデータの交換および送信に使用されます。フラッシュメモリは不揮発性メモリであるため、データを保存するためだけに電力を消費する必要はありません。フラッシュメモリは、ハードディスクと比較して、動的耐衝撃性にも優れています。これらの特性が、フラッシュメモリがモバイルデバイスに広く採用されている理由です。フラッシュメモリのもう1つの機能：...

2020-11-21

NORFLASHとNANDFLASHの基本構造と特性

EPROM、EEPROM、NOR FLASH、NAND FLASHなど、さまざまな種類の不揮発性ストレージ要素があります。最初の2つは基本的に削除されているため、後の2つだけに焦点を当てます。この記事では、基本的なメモリセル構造、書き込み操作、消去操作と読み取り操作の技術を簡単に紹介し、ストレージ構造によって決定されるNORとNANDの特性とアプリケーションの違いを紹介し、その後のハードウェア設計とドライバープログラミングを舗装します。 1FLASH基本ストレージユニット---フローティングゲートフィールドエフェクトチューブNORFLASHとNANDFLASHはどちらもフローティングゲートフィールドエフェクトチューブ（Floati .. ..

2020-11-21

SSD、eMMC、UFSについて話す

現時点では、この記事を投稿すると、必然的にホットスポットをこする疑いがあります。しかし、コンピューターアーキテクチャの大学院生として、これらの用語が空中を飛び交うとき、私の好奇心は抑えられませんでした。私はこれらのテクノロジーの本質を知りたいと思いました。この記事では、特定のイベントについてコメントするのではなく、技術的な観点からこれら3つのテクノロジーを分析および比較するだけです。あなた自身の技術的予備力+人気のある科学としても。まず、これら3つのテクノロジーは異なるタイプのフラッシュメモリ（フラッシュメモリ）です。主な違いは、コントローラ、インターフェイス標準、および下位レベルのフラッシュチップ標準にあります。彼らです...

2020-11-21

ナンドフラッシュストレージ構造の分析

NandFlashメモリは複数のブロックで構成され、各ブロックは複数のページで構成されます。ページのサイズは通常2K +64バイトまたは512 + 16バイトです。ページは読み取りとプログラミングの基本単位であり、消去の基本単位はブロックです。図1NANDフラッシュの保存結果NANDフラッシュのページには、メインエリアとスペアエリアの2つのフィールドがあります。「メインエリア」には512 * 8（または256 * 16）または2048 * 8があります。または1024 * 16）ビットの場合、「スペア領域」には16 * 8（または8 * 16）または64 * 8（または32 * 16）ビットがあるため、各ページは...

2020-11-21

NANDフラッシュのプログラミング構造を分析する

NANDフラッシュのプログラミング構造の分析前回の記事では、NANDフラッシュとNORフラッシュの違いを紹介しましたが、構造と原理から、NORフラッシュのROMのような構造でプログラミングが容易で、多くのエンジニアが使用されています。コストが高すぎない場合、NANDフラッシュは単に生き残ることができません。 NANDフラッシュは、その低価格と大容量のストレージ、特に大量のデータを保存する必要がある消費者にますます人気があります。 NANDフラッシュをプログラミングする際に注意すべき点は何ですか？パーティション（パーティション）は、パーティションの本質を定義します...

2020-11-21